NPT1010B
MACOM
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括技术 GaN Si。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录A2G22S160-01SR3
NXP / Freescale
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935312929118、单件重量 0.089430 oz。CGHV50200F
Wolfspeed / Cree · 封装：4402015
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 150 C、工作频率 4.4～5 GHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 HEMT、增益 11.5 dB、晶体管极性 N-Channel，采用 4402015 封装。A2G26H281-04SR3
NXP Semiconductors · 封装：NI-780S-4
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 2496～2690 MHz、技术 氮化镓（GaN）、增益 14.2 dB、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 125 V、栅源击穿电压（Vgs） - 8 V, 0 V，采用 NI-780S-4 封装。GTVA261701FA-V1-R2
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37265J-2
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 2620～2690 MHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、增益 17 dB、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 150 V，采用 H-37265J-2 封装。T1G4012036-FL
Qorvo
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 3.3 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、类型 GaN SiC HEMT、增益 18.4 dB、晶体管极性 N-Channel。TGF2160
Qorvo
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作温度范围 - 65 C to + 150 C、工作频率 20 GHz、技术 GaAs、晶体管类型 pHEMT、类型 GaAs pHEMT。TGF2819-FS
Qorvo
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 85 C、工作频率 3.5 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、类型 GaN SiC HEMT、增益 14 dB。CGH40120P
Wolfspeed / Cree
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括技术 氮化镓（GaN）。CG2H40120F
Wolfspeed / Cree
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 4 GHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 HEMT、晶体管极性 N-Channel、输出功率 120 W。TGF2956
Qorvo · 封装：Die
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、工作频率 15 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、增益 19.3 dB、晶体管极性 N-Channel，采用 Die 封装。T2G4005528-FS
Qorvo
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 3.5 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、类型 GaN SiC HEMT、增益 16 dB、晶体管极性 N-Channel。QPD0050TR7
Qorvo · 封装：DFN-6
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 DC to 3.6 GHz、技术 氮化镓（GaN）、增益 19.4 dB、输出功率 75 W、最小工作温度 - 40 C、应用 Microcell Base Station, W-CDMA / LTE，采用 DFN-6 封装。QPD2796
Qorvo · 封装：NI400-2
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 2.5～2.7 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、增益 20 dB、晶体管极性 N-Channel、输出功率 200 W，采用 NI400-2 封装。MAAM-009455-TR3000
MACOM · 封装：PQFN-20
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 85 C、工作频率 1 GHz、技术 GaAs、晶体管类型 MESFET、类型 GaAs MESFET、增益 20.5 dB，采用 PQFN-20 封装。GTVA263202FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37248-4
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 2620～2690 MHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、增益 17 dB、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 150 V，采用 H-37248-4 封装。TGF2955
Qorvo · 封装：Die
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、工作频率 15 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、增益 19.2 dB、晶体管极性 N-Channel，采用 Die 封装。TGF2954
Qorvo · 封装：Die
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、工作频率 15 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、增益 19.6 dB、晶体管极性 N-Channel，采用 Die 封装。TGF2936
Qorvo
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 DC to 25 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、增益 16 dB、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 700 mA。TGF2952
Qorvo · 封装：Die
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、工作频率 15 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、增益 20.4 dB、晶体管极性 N-Channel，采用 Die 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。