Wolfspeed / Cree
GTVA261701FA-V1-R2
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 2620～2690 MHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、增益 17 dB、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 150 V，采用 H-37265J-2 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Cree, Inc.
- 品牌
- Wolfspeed / Cree
- 产品类别
- 射频结型场效应晶体管
- 封装
- H-37265J-2
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 卷盘
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
11 项参数- 晶体管类型
- HEMT
- 技术
- GaN SiC
- 增益
- 17 dB
- 晶体管极性
- N-Channel
- 漏源击穿电压（Vds）
- 150 V
- 连续漏极电流（Id）
- 7.5 A
- 输出功率
- 170 W
- 最大工作温度
- + 225 C
- 配置
- Single
- 工作频率
- 2620～2690 MHz
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- - 3.8 V
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。