NXP Semiconductors
A2G26H281-04SR3
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 2496～2690 MHz、技术 氮化镓（GaN）、增益 14.2 dB、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 125 V、栅源击穿电压（Vgs） - 8 V, 0 V，采用 NI-780S-4 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- NXP
- 品牌
- NXP Semiconductors
- 产品类别
- 射频结型场效应晶体管
- 封装
- NI-780S-4
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 卷盘
- RoHS
- E
技术参数
12 项参数- 技术
- 氮化镓（GaN）
- 增益
- 14.2 dB
- 晶体管极性
- N-Channel
- 漏源击穿电压（Vds）
- 125 V
- 栅源击穿电压（Vgs）
- - 8 V, 0 V
- 输出功率
- 50 W
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 配置
- Dual
- 工作频率
- 2496～2690 MHz
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- - 2.3 V
- 型号别名
- 935332873128
- 单件重量
- 0.164077 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。