Wolfspeed / Cree
CGHV50200F
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 150 C、工作频率 4.4～5 GHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 HEMT、增益 11.5 dB、晶体管极性 N-Channel，采用 4402015 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Cree, Inc.
- 品牌
- Wolfspeed / Cree
- 产品类别
- 射频结型场效应晶体管
- 封装
- 4402015
- 安装方式
- Screw Mount
- 包装方式
- 托盘
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
13 项参数- 晶体管类型
- HEMT
- 技术
- 氮化镓（GaN）
- 增益
- 11.5 dB
- 晶体管极性
- N-Channel
- 漏源击穿电压（Vds）
- 150 V
- 栅源击穿电压（Vgs）
- - 10 V to 2 V
- 连续漏极电流（Id）
- 17 A
- 输出功率
- 180 W
- 工作温度范围
- -40～150 °C
- 工作频率
- 4.4～5 GHz
- 工作温度范围
- - 40 C to + 150 C
- 开发套件
- CGHV50200F-AMP
展开更多参数（1 项）
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- - 3.4 V
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。