Qorvo
QPD2796
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 2.5～2.7 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、增益 20 dB、晶体管极性 N-Channel、输出功率 200 W，采用 NI400-2 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Qorvo
- 产品类别
- 射频结型场效应晶体管
- 产品系列
- QPD
- 封装
- NI400-2
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 托盘
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
10 项参数- 晶体管类型
- HEMT
- 技术
- GaN SiC
- 增益
- 20 dB
- 晶体管极性
- N-Channel
- 输出功率
- 200 W
- 最小工作温度
- - 40 C
- 应用
- Microcell Base Station, W-CDMA / LTE
- 配置
- Single
- 工作频率
- 2.5～2.7 GHz
- 型号别名
- 1130963
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。