Qorvo
QPD0050TR7
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 DC to 3.6 GHz、技术 氮化镓（GaN）、增益 19.4 dB、输出功率 75 W、最小工作温度 - 40 C、应用 Microcell Base Station, W-CDMA / LTE，采用 DFN-6 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Qorvo
- 产品类别
- 射频结型场效应晶体管
- 产品系列
- QPD
- 封装
- DFN-6
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 卷盘
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
9 项参数- 技术
- 氮化镓（GaN）
- 增益
- 19.4 dB
- 输出功率
- 75 W
- 最小工作温度
- - 40 C
- 应用
- Microcell Base Station, W-CDMA / LTE
- 配置
- Single
- 工作频率
- DC to 3.6 GHz
- 湿敏性
- 是
- 型号别名
- 1132691
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。