QPD2731SR
Qorvo · 封装：NI780-4
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 2.5～2.7 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、增益 16.3 dB、晶体管极性 N-Channel、输出功率 316 W，采用 NI780-4 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录QPD1019
Qorvo · 封装：17.4 mm x 24 mm x 4.31 mm
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 2.9～3.3 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、增益 16.3 dB、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 150 V，采用 17.4 mm x 24 mm x 4.31 mm 封装。QPD1017
Qorvo · 封装：17.4 mm x 24 mm x 4.31 mm
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 3.1～3.5 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、增益 15.7 dB、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 20 A，采用 17.4 mm x 24 mm x 4.31 mm 封装。QPD1881L
Qorvo · 封装：NI780-2
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 2.7～2.9 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、增益 21.2 dB、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 145 V，采用 NI780-2 封装。QPD0005SR
RFMD (Qorvo)
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 3.3～3.8 GHz、技术 氮化镓（GaN）、输出功率 5 W。CGH35030F
Cree, Inc.
该型号为射频结型场效应晶体管。CGH31240F
Cree, Inc. · 封装：440201
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 2.7～3.1 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、类型 GaN SiC HEMT、增益 12 dB、晶体管极性 N-Channel，采用 440201 封装。CGHV59070F-AMP
Cree, Inc.
该型号为射频结型场效应晶体管。A2G22S160-01SR3
NXP Semiconductors
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935312929118、单件重量 0.089430 oz。CGH35015F
Cree, Inc.
该型号为射频结型场效应晶体管。CGHV37400F
Cree, Inc.
该型号为射频结型场效应晶体管。A2G26H280-04SR3
NXP Semiconductors
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935318614128。CGHV40100P
Cree, Inc.
该型号为射频结型场效应晶体管。CGH35060F2
Cree, Inc.
该型号为射频结型场效应晶体管。CE7530K2-C1
CEL
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括原产国家或地区 日本。CE3514M4-C2
CEL · 封装：minimold-4
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 12 GHz、技术 GaAs、晶体管类型 pHEMT、增益 12.2 dB、漏源击穿电压（Vds） 4 V、栅源击穿电压（Vgs） - 3 V，采用 minimold-4 封装。CE3521M4-C2
CEL · 封装：minimold-4
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 20 GHz、技术 GaAs、晶体管类型 pHEMT、增益 11.9 dB、漏源击穿电压（Vds） 3 V、栅源击穿电压（Vgs） - 3 V，采用 minimold-4 封装。CE7531K3-C1
CEL
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括原产国家或地区 日本。CE7613M4
CEL · 封装：minimold-4
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 12 GHz、技术 Si、晶体管类型 pHEMT、增益 14.1 dB、漏源击穿电压（Vds） 2 V、栅源击穿电压（Vgs） - 400 mV，采用 minimold-4 封装。CE7613M4-C2
CEL · 封装：minimold-4
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 12 GHz、技术 Si、增益 14.1 dB、漏源击穿电压（Vds） 2 V、栅源击穿电压（Vgs） - 400 mV、连续漏极电流（Id） 10 mA，采用 minimold-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。