ChipSourceHub 美芯科技

CEL

CE7613M4-C2

该型号为射频结型场效应晶体管,主要参数包括工作频率 12 GHz、技术 Si、增益 14.1 dB、漏源击穿电压(Vds) 2 V、栅源击穿电压(Vgs) - 400 mV、连续漏极电流(Id) 10 mA,采用 minimold-4 封装。

基本资料

查看数据手册 ↗
品牌 / 制造商
CEL
产品类别
射频结型场效应晶体管
产品系列
CE7613M4
封装
minimold-4
安装方式
表面贴装(SMD/SMT)
包装方式
小卷盘

技术参数

13 项参数
技术
Si
工作频率
12 GHz
增益
14.1 dB
漏源击穿电压(Vds)
2 V
栅源击穿电压(Vgs)
- 400 mV
连续漏极电流(Id)
10 mA
工作温度范围
-55~125 °C
耗散功率(Pd)
125 mW
配置
Single
原产国家或地区
日本
正向跨导(最小值)
51.8 mS
栅源截止电压
400 mV
展开更多参数(1 项)
噪声系数(NF)
0.35 dB

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

CE7613M4-C2 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技