CEL
CE3521M4-C2
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 20 GHz、技术 GaAs、晶体管类型 pHEMT、增益 11.9 dB、漏源击穿电压（Vds） 3 V、栅源击穿电压（Vgs） - 3 V，采用 minimold-4 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- CEL
- 产品类别
- 射频结型场效应晶体管
- 封装
- minimold-4
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 卷盘
技术参数
14 项参数- 晶体管类型
- pHEMT
- 技术
- GaAs
- 工作频率
- 20 GHz
- 增益
- 11.9 dB
- 漏源击穿电压（Vds）
- 3 V
- 栅源击穿电压（Vgs）
- - 3 V
- 连续漏极电流（Id）
- 10 mA
- 工作温度范围
- -55～125 °C
- 耗散功率（Pd）
- 125 mW
- 配置
- Single
- 原产国家或地区
- 日本
- 正向跨导（最小值）
- 47 mS
展开更多参数（2 项）
- 栅源截止电压
- - 750 mV
- 噪声系数（NF）
- 0.7 dB
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。