Cree, Inc.
CGH31240F
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 2.7～3.1 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、类型 GaN SiC HEMT、增益 12 dB、晶体管极性 N-Channel，采用 440201 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Cree, Inc.
- 产品类别
- 射频结型场效应晶体管
- 封装
- 440201
- 安装方式
- Screw Mount
技术参数
18 项参数- 晶体管类型
- HEMT
- 技术
- GaN SiC
- 增益
- 12 dB
- 晶体管极性
- N-Channel
- 漏源击穿电压（Vds）
- 120 V
- 栅源击穿电压（Vgs）
- - 10 V to 2 V
- 连续漏极电流（Id）
- 24 A
- 输出功率
- 240 W
- 工作温度范围
- -40～150 °C
- 配置
- Single
- 高度
- 3.76 mm
- 长度
- 24.33 mm
展开更多参数（6 项）
- 工作频率
- 2.7～3.1 GHz
- 产品
- 氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）
- 类型
- GaN SiC HEMT
- 宽度
- 23.62 mm
- 开发套件
- CGH31240F-TB
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- - 3 V
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。