Qorvo
QPD1019
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 2.9～3.3 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、增益 16.3 dB、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 150 V，采用 17.4 mm x 24 mm x 4.31 mm 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Qorvo
- 产品类别
- 射频结型场效应晶体管
- 封装
- 17.4 mm x 24 mm x 4.31 mm
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
14 项参数- 晶体管类型
- HEMT
- 技术
- GaN SiC
- 增益
- 16.3 dB
- 晶体管极性
- N-Channel
- 漏源击穿电压（Vds）
- 150 V
- 栅源击穿电压（Vgs）
- - 7 V to 2 V
- 连续漏极电流（Id）
- 15 A
- 最大漏栅电压
- 55 V
- 工作温度范围
- -40～85 °C
- 耗散功率（Pd）
- 522 W
- 配置
- Single
- 工作频率
- 2.9～3.3 GHz
展开更多参数（2 项）
- 开发套件
- QPD1019EVB01
- 湿敏性
- 是
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。