CGHV40180F
Wolfspeed / Cree · 封装：440223
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 DC to 1000 MHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 HEMT、增益 20.3 dB、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 125 V，采用 440223 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录CG2H40010F
Wolfspeed / Cree · 封装：440166
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 DC to 6 GHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 HEMT、增益 16.5 dB、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 120 V，采用 440166 封装。CG2H30070F
Wolfspeed / Cree · 封装：440224
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 0.5～3 GHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 HEMT、增益 12.4 dB、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 120 V，采用 440224 封装。CG2H40045F
Wolfspeed / Cree · 封装：440193
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 DC to 4 GHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 HEMT、增益 16 dB、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 120 V，采用 440193 封装。QPD1025L
Qorvo · 封装：NI-1230-4
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 1～1.1 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、增益 22.9 dB、连续漏极电流（Id） 28 A、输出功率 1.5 kW，采用 NI-1230-4 封装。CGH60015D-GP4
Wolfspeed / Cree · 封装：Die
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 4～6 GHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 HEMT、增益 15 dB、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 120 V，采用 Die 封装。BF513,215
NXP Semiconductors · 封装：SOT-23
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 JFET、类型 JFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 20 V、栅源击穿电压（Vgs） 20 V，采用 SOT-23 封装。NPT25100B
MACOM
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括技术 GaN Si。CE3521M4
CEL
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括技术 GaAs、单件重量 0.000160 oz。CGH55015F2
Wolfspeed / Cree · 封装：440166
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 4.5～6 GHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 HEMT、增益 12 dB、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 120 V，采用 440166 封装。NPT1012B
MACOM
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 4 GHz、技术 GaN Si、晶体管类型 HEMT、增益 13 dB、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 100 V。TGF2040
Qorvo
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、工作频率 20 GHz、技术 GaAs、晶体管类型 pHEMT、类型 GaAs pHEMT、增益 13 dB。TGF2060
Qorvo
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、工作频率 20 GHz、技术 GaAs、晶体管类型 pHEMT、类型 GaAs pHEMT、增益 12 dB。TGF2018
Qorvo
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、工作频率 20 GHz、技术 GaAs、晶体管类型 pHEMT、类型 GaAs pHEMT、增益 14 dB。XF1001-SC-EV1
MACOM
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括技术 Si。CE3512K2
CEL
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括技术 GaAs、晶体管类型 pHEMT、漏源击穿电压（Vds） 4 V、连续漏极电流（Id） 10 mA、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 125 C。BFR31,235
NXP Semiconductors · 封装：SOT-23
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 JFET、类型 JFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 25 V、栅源击穿电压（Vgs） 25 V，采用 SOT-23 封装。CGH60120D-GP4
Wolfspeed / Cree · 封装：Die
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括通道数 8 个通道、工作频率 4～6 GHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 HEMT、增益 13 dB、晶体管极性 N-Channel，采用 Die 封装。CGH27030P
Wolfspeed / Cree · 封装：440196
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 2.7 GHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 HEMT、增益 15 dB、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 120 V，采用 440196 封装。T1G4004532-FL
Qorvo
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括技术 GaN SiC、漏源击穿电压（Vds） 32 V、栅源击穿电压（Vgs） 100 V、耗散功率（Pd） 45 W、配置 Single、高度 4.064 mm。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。