Qorvo
TGF2018
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、工作频率 20 GHz、技术 GaAs、晶体管类型 pHEMT、类型 GaAs pHEMT、增益 14 dB。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Qorvo
- 产品类别
- 射频结型场效应晶体管
- 产品系列
- TGF
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- Gel Pack
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
18 项参数- 晶体管类型
- pHEMT
- 技术
- GaAs
- 增益
- 14 dB
- 漏源击穿电压（Vds）
- 8 V
- 栅源击穿电压（Vgs）
- - 15 V
- 连续漏极电流（Id）
- 58 mA
- 最大漏栅电压
- 12 V
- 工作温度范围
- -65～150 °C
- 耗散功率（Pd）
- 640 mW
- 配置
- Single
- 工作频率
- 20 GHz
- 工作温度范围
- - 65 C to + 150 C
展开更多参数（6 项）
- 产品
- RF JFET
- 类型
- GaAs pHEMT
- 正向跨导（最小值）
- 70 mS
- 噪声系数（NF）
- 1 dB
- 1 dB 压缩点（P1dB）
- 22 dBm
- 型号别名
- 1098412
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。