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Qorvo

T1G4004532-FL

该型号为射频结型场效应晶体管,主要参数包括技术 GaN SiC、漏源击穿电压(Vds) 32 V、栅源击穿电压(Vgs) 100 V、耗散功率(Pd) 45 W、配置 Single、高度 4.064 mm。

基本资料

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品牌 / 制造商
Qorvo
产品类别
射频结型场效应晶体管
安装方式
表面贴装(SMD/SMT)
包装方式
托盘
RoHS
符合(来源记录)

技术参数

11 项参数
技术
GaN SiC
漏源击穿电压(Vds)
32 V
栅源击穿电压(Vgs)
100 V
耗散功率(Pd)
45 W
配置
Single
高度
4.064 mm
长度
20.3 mm
宽度
5.842 mm
栅源截止电压
- 2.9 V
湿敏性
是
型号别名
1092442

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

T1G4004532-FL 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技