CEL
CE3512K2
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括技术 GaAs、晶体管类型 pHEMT、漏源击穿电压（Vds） 4 V、连续漏极电流（Id） 10 mA、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 125 C。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- CEL
- 产品类别
- 射频结型场效应晶体管
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 散装
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
8 项参数- 晶体管类型
- pHEMT
- 技术
- GaAs
- 漏源击穿电压（Vds）
- 4 V
- 连续漏极电流（Id）
- 10 mA
- 工作温度范围
- -55～125 °C
- 耗散功率（Pd）
- 125 mW
- 正向跨导（最小值）
- 54
- 单件重量
- 0.000581 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。