Qorvo
QPD1025L
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 1～1.1 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、增益 22.9 dB、连续漏极电流（Id） 28 A、输出功率 1.5 kW，采用 NI-1230-4 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Qorvo
- 产品类别
- 射频结型场效应晶体管
- 产品系列
- QPD
- 封装
- NI-1230-4
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 托盘
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
13 项参数- 晶体管类型
- HEMT
- 技术
- GaN SiC
- 增益
- 22.9 dB
- 连续漏极电流（Id）
- 28 A
- 输出功率
- 1.5 kW
- 最大漏栅电压
- 225 V
- 工作温度范围
- -40～85 °C
- 耗散功率（Pd）
- 758 W
- 应用
- Avionics, IFF Transponders
- 配置
- Dual Gate Dual Drain
- 工作频率
- 1～1.1 GHz
- 开发套件
- QPD1025LEVB1
展开更多参数（1 项）
- 湿敏性
- 是
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。