LMG1025QDEETQ1
Texas Instruments · 封装：WSON-6
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、输出电流 7 A、技术 氮化镓（GaN）、类型 Low-Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 WSON-6 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录LMG1025QDRVRQ1
Texas Instruments · 封装：WSON-6
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、输出电流 7 A、技术 Si、类型 Low-Side、驱动器数 1 Driver，采用 WSON-6 封装。LMG2100R026VBNR
Texas Instruments · 封装：VQFN-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、输出电压 12 V、输出电流 8 A、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 VQFN-16 封装。LMG2100R044RARR
Texas Instruments · 封装：VQFN-FCRLF-16
主要参数包括最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、组装国家或地区 菲律宾、晶圆制造国家或地区 美国、原产国家或地区 菲律宾、湿敏性 是，采用 VQFN-FCRLF-16 封装。LMG2610RRGR
Texas Instruments · 封装：VQFN-40
主要参数包括电源电压（最小值） 7.5 V、电源电压（最大值） 26 V、输出电压 19.95 V、输出电流 3 A、技术 氮化镓（GaN）、类型 Half-Bridge，采用 VQFN-40 封装。LMG2610RRGT
Texas Instruments · 封装：VQFN-40
主要参数包括电源电压（最小值） 7.5 V、电源电压（最大值） 26 V、输出电压 19.95 V、输出电流 3 A、技术 氮化镓（GaN）、类型 Half-Bridge，采用 VQFN-40 封装。LMG2640RRGR
Texas Instruments · 封装：VQFN-40
主要参数包括电源电压（最小值） 7.5 V、电源电压（最大值） 26 V、技术 氮化镓（GaN）、类型 High-Side, Low-Side、产品 Gate Drivers、驱动器数 2 Driver，采用 VQFN-40 封装。LMG2650RFBR
Texas Instruments · 封装：VQFN-19
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 26 V、技术 氮化镓（GaN）、类型 High-Side, Low-Side、产品 Gate Driver、驱动器数 2 Driver，采用 VQFN-19 封装。LMG2652RFBR
Texas Instruments · 封装：VQFN-19
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 26 V、技术 氮化镓（GaN）、类型 Half-Bridge、产品 氮化镓场效应晶体管、驱动器数 1 Driver，采用 VQFN-19 封装。LMG2656RFBR
Texas Instruments · 封装：VQFN-19
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 26 V、技术 氮化镓（GaN）、产品 Half-Bridge、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C，采用 VQFN-19 封装。LMG3100R017VBER
Texas Instruments · 封装：VQFN-FCRLF-15
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、输出电压 12 V、输出电流 8 A、技术 氮化镓（GaN）、类型 Half-Bridge，采用 VQFN-FCRLF-15 封装。LMG3100R044VBER
Texas Instruments · 封装：VQFN-15
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、技术 Si、产品 Gate Drivers、输出数 1 Output、最小工作温度 - 40 C，采用 VQFN-15 封装。LMG3410R050RWHRG4
Texas Instruments
主要参数包括原产国家或地区 菲律宾、湿敏性 是。LMG3410R070RWHTG4
Texas Instruments
主要参数包括原产国家或地区 菲律宾、湿敏性 是。LMG3410R150RWHR
Texas Instruments · 封装：VQFN-32
主要参数包括电源电压（最小值） 9.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 12 A、技术 氮化镓（GaN）、类型 Half-Bridge、逻辑类型 CMOS，采用 VQFN-32 封装。LMG3410R150RWHT
Texas Instruments · 封装：VQFN-32
主要参数包括电源电压（最小值） 9.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 12 A、技术 氮化镓（GaN）、类型 Half-Bridge、逻辑类型 CMOS，采用 VQFN-32 封装。LMG3411R050RWHR
Texas Instruments · 封装：VQFN-32
主要参数包括电源电压（最小值） 9.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 5 V、输出电流 12 A、技术 氮化镓（GaN）、类型 Half-Bridge，采用 VQFN-32 封装。LMG3425R050RQZR
Texas Instruments · 封装：VQFN-54
主要参数包括电源电压（最小值） 7.5 V、电源电压（最大值） 18 V、技术 氮化镓（GaN）、类型 High-Side, Low-Side、产品 Driver ICs - Various、驱动器数 1 Driver，采用 VQFN-54 封装。LMG3425R050RQZT
Texas Instruments · 封装：VQFN-54
主要参数包括电源电压（最小值） 7.5 V、电源电压（最大值） 18 V、技术 氮化镓（GaN）、类型 High-Side, Low-Side、产品 Half-Bridge Drivers、驱动器数 1 Driver，采用 VQFN-54 封装。LMG3426R030RQZR
Texas Instruments · 封装：VQFN-54
主要参数包括电源电压（最小值） 7.5 V、电源电压（最大值） 18 V、技术 氮化镓（GaN）、类型 Low-Side、产品 GaN-on-Si FET with Integrated Gate Drivers、驱动器数 1 Driver，采用 VQFN-54 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。