Texas Instruments
LMG3426R030RQZR
主要参数包括电源电压（最小值） 7.5 V、电源电压（最大值） 18 V、技术 氮化镓（GaN）、类型 Low-Side、产品 GaN-on-Si FET with Integrated Gate Drivers、驱动器数 1 Driver，采用 VQFN-54 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Texas Instruments
- 产品类别
- Gate Drivers
- 产品系列
- LMG3426R030
- 封装
- VQFN-54
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 卷盘
- RoHS
- 不符合（来源记录）
技术参数
9 项参数- 产品
- GaN-on-Si FET with Integrated Gate Drivers
- 类型
- Low-Side
- 驱动器数
- 1 Driver
- 输出数
- 1 Output
- 电源电压范围
- 7.5～18 V
- 配置
- Non-Inverting
- 工作温度范围
- -40～125 °C
- 湿敏性
- 是
- 技术
- 氮化镓（GaN）
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。