Texas Instruments
LMG2652RFBR
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 26 V、技术 氮化镓（GaN）、类型 Half-Bridge、产品 氮化镓场效应晶体管、驱动器数 1 Driver，采用 VQFN-19 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Texas Instruments
- 产品类别
- Gate Drivers
- 封装
- VQFN-19
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 小卷盘
技术参数
22 项参数- 产品
- 氮化镓场效应晶体管
- 类型
- Half-Bridge
- 驱动器数
- 1 Driver
- 输出数
- 1 Output
- 电源电压范围
- 10～26 V
- 配置
- Non-Inverting
- 上升时间
- 30 ns
- 下降时间
- 23 ns
- 工作温度范围
- -40～125 °C
- 组装国家或地区
- 菲律宾
- 晶圆制造国家或地区
- 美国
- 原产国家或地区
- 美国
展开更多参数（10 项）
- 开发套件
- LMG2652EVM-101
- 输入电压（最大值）
- 26 V
- 输入电压（最小值）
- 10 V
- 最大关断延迟时间
- 55 ns
- 最大导通延迟时间
- 45 ns
- 湿敏性
- 是
- 工作电源电流
- 6.1 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 140 mOhms
- 关断功能
- No Shutdown
- 技术
- 氮化镓（GaN）
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。