Texas Instruments
LMG2650RFBR
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 26 V、技术 氮化镓（GaN）、类型 High-Side, Low-Side、产品 Gate Driver、驱动器数 2 Driver，采用 VQFN-19 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Texas Instruments
- 产品类别
- Gate Drivers
- 产品系列
- LMG2650
- 封装
- VQFN-19
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 卷盘
技术参数
17 项参数- 产品
- Gate Driver
- 类型
- High-Side, Low-Side
- 驱动器数
- 2 Driver
- 电源电压范围
- 10～26 V
- 上升时间
- 131 ns
- 下降时间
- 20 ns
- 工作温度范围
- -40～125 °C
- 原产国家或地区
- 菲律宾
- 开发套件
- LMG2650EVM-100
- 最大关断延迟时间
- 65 ns
- 最大导通延迟时间
- 255 us
- 湿敏性
- 是
展开更多参数（5 项）
- 关断时间（最大值）
- 65 ns
- 工作电源电流
- 3 mA
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 95 mOhms
- 关断功能
- Shutdown
- 技术
- 氮化镓（GaN）
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。