Texas Instruments
LMG1025QDEETQ1
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、输出电流 7 A、技术 氮化镓（GaN）、类型 Low-Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 WSON-6 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Texas Instruments
- 产品类别
- Gate Drivers
- 产品系列
- LMG1025
- 封装
- WSON-6
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 小卷盘
技术参数
21 项参数- 产品
- MOSFET Gate Drivers
- 类型
- Low-Side
- 驱动器数
- 1 Driver
- 输出数
- 1 Output
- 输出电流
- 7 A
- 电源电压范围
- 4.75～5.25 V
- 上升时间
- 650 ps
- 下降时间
- 850 ps
- 工作温度范围
- -40～125 °C
- 原产国家或地区
- TH
- 开发套件
- LMG1020EVM-006, LMG1025-Q1EVM
- 输入电压（最大值）
- 5.25 V
展开更多参数（9 项）
- 输入电压（最小值）
- 4.75 V
- 逻辑类型
- CMOS, TTL
- 最大关断延迟时间
- 2.9 ns
- 最大导通延迟时间
- 2.6 ns
- 湿敏性
- 是
- 关断功能
- Shutdown
- 技术
- 氮化镓（GaN）
- 商品名称
- 氮化镓（GaN）
- 单件重量
- 0.000272 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。