MMRF1023HSR5
NXP / Freescale
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935322369178、单件重量 0.303504 oz。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录AGR21045EF
Advanced Semiconductor, Inc.
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。STAC4932B
STMicroelectronics · 封装：STAC244B
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 250 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 1 mA、漏源击穿电压（Vds） 200 V，采用 STAC244B 封装。QPD1020SR
Qorvo · 封装：DFN-8
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 2.7～3.5 GHz、技术 GaN SiC、类型 RF Small Signal MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 100 mA，采用 DFN-8 封装。MMRF1305HSR5
NXP / Freescale
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935318166178、单件重量 0.161213 oz。PD55015STR-E
STMicroelectronics · 封装：PowerSO-10RF-Straight-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 5 A、漏源击穿电压（Vds） 40 V，采用 PowerSO-10RF-Straight-4 封装。PD85006TR-E
STMicroelectronics · 封装：PowerSO-10RF-Formed-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 2 A、漏源击穿电压（Vds） 40 V，采用 PowerSO-10RF-Formed-4 封装。A3G35H100-04SR3
NXP Semiconductors · 封装：NI-780S-4L
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 3400～3600 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、连续漏极电流（Id） 8.04 mA，采用 NI-780S-4L 封装。MMRF1004GNR1
NXP / Freescale
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、湿敏性 是、型号别名 935320363528、单件重量 0.019330 oz。MMRF1306HSR5
NXP / Freescale
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935320269178、单件重量 0.299419 oz。MMRF5014H-500MHZ
NXP / Freescale · 封装：NI-360H-2SB
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 1～2700 MHz、技术 GaN SiC、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 P-Channel、连续漏极电流（Id） 350 mA，采用 NI-360H-2SB 封装。MMRF1308HR5
NXP / Freescale
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935323564178、单件重量 0.464036 oz。STAC4932F
STMicroelectronics · 封装：STAC244F
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 250 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 1 mA、漏源击穿电压（Vds） 200 V，采用 STAC244F 封装。MRF6VP3091NR5
NXP / Freescale · 封装：TO-270
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 0.47～0.86 GHz、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 115 V、增益 21.8 dB、输出功率 18 W，采用 TO-270 封装。A2T21H100-25SR3
NXP / Freescale
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935320549128、单件重量 0.164793 oz。SD2931-12W
STMicroelectronics · 封装：$1.90
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET，采用 $1.90 封装。SD56060
STMicroelectronics · 封装：M246
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 8 A、漏源击穿电压（Vds） 65 V、输出功率 60 W，采用 M246 封装。MRFE8VP8600HSR5
NXP / Freescale · 封装：NI-1230S-4S
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 470～860 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、连续漏极电流（Id） 2.8 A，采用 NI-1230S-4S 封装。MMRF1005HSR5
NXP / Freescale
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935315357178、单件重量 0.168010 oz。MMRF1016HR5
NXP / Freescale
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935322153178、单件重量 0.464036 oz。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。