Qorvo
QPD1020SR
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 2.7～3.5 GHz、技术 GaN SiC、类型 RF Small Signal MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 100 mA，采用 DFN-8 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Qorvo
- 产品类别
- 晶体管
- 封装
- DFN-8
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
13 项参数- 晶体管极性
- N-Channel
- 技术
- GaN SiC
- 连续漏极电流（Id）
- 100 mA
- 漏源击穿电压（Vds）
- 50 V
- 增益
- 18.4 dB
- 输出功率
- 31 W
- 工作温度范围
- -40～85 °C
- 工作频率
- 2.7～3.5 GHz
- 类型
- RF Small Signal MOSFET
- 通道数
- 1 个通道
- 湿敏性
- 是
- 耗散功率（Pd）
- 30 W
展开更多参数（1 项）
- 栅源电压（Vgs）
- - 2.8 V
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。