NXP Semiconductors
A3G35H100-04SR3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 3400～3600 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、连续漏极电流（Id） 8.04 mA，采用 NI-780S-4L 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- NXP
- 品牌
- NXP Semiconductors
- 产品类别
- 晶体管
- 封装
- NI-780S-4L
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
13 项参数- 晶体管极性
- Dual N-Channel
- 技术
- Si
- 连续漏极电流（Id）
- 8.04 mA
- 漏源击穿电压（Vds）
- 125 V
- 增益
- 14 dB
- 输出功率
- 14 W
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 工作频率
- 3400～3600 MHz
- 类型
- RF Power MOSFET
- 通道数
- 2 个通道
- 栅源电压（Vgs）
- - 8 V
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- - 2.3 V
展开更多参数（1 项）
- 型号别名
- 935368927128
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。