NXP / Freescale
MMRF5014H-500MHZ
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 1～2700 MHz、技术 GaN SiC、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 P-Channel、连续漏极电流（Id） 350 mA，采用 NI-360H-2SB 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- NXP
- 品牌
- NXP / Freescale
- 产品类别
- 晶体管
- 封装
- NI-360H-2SB
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
15 项参数- 晶体管极性
- P-Channel
- 技术
- GaN SiC
- 连续漏极电流（Id）
- 350 mA
- 漏源击穿电压（Vds）
- 150 V
- 增益
- 18 dB
- 输出功率
- 125 W
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 工作频率
- 1～2700 MHz
- 类型
- RF Power MOSFET
- 通道数
- 1 个通道
- 耗散功率（Pd）
- 232 W
- 栅源电压（Vgs）
- - 8 V, 0 V
展开更多参数（3 项）
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- - 2.3 V
- 型号别名
- 935345452598
- 单件重量
- 0.017637 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。