IXZR18N50B-00
IXYS · 封装：TO-247-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 19 A、漏源击穿电压（Vds） 500 V，采用 TO-247-3 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录150-102N02A-00
IXYS · 封装：SMD-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 30 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 2 A，采用 SMD-6 封装。VRF141G
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。IXZR18N50A-00
IXYS · 封装：TO-247-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 19 A、漏源击穿电压（Vds） 500 V，采用 TO-247-3 封装。IXZR16N60
IXYS · 封装：TO-247-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 18 A、漏源击穿电压（Vds） 600 V，采用 TO-247-3 封装。ARF465AG
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。150-501N04A-00
IXYS · 封装：SMD-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 100 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 4.5 A，采用 SMD-6 封装。150-101N09A-00
IXYS · 封装：SMD-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 100 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 9 A，采用 SMD-6 封装。MMRF1305HR5
NXP / Freescale
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935320341178、单件重量 0.225605 oz。BF2040E6814HTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-143-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Small Signal MOSFET、型号别名 2040 BF BF24E6814XT E6814 SP000012215、单件重量 0.003880 oz，采用 SOT-143-4 封装。SD56120
STMicroelectronics · 封装：M246
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 14 A、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 M246 封装。BF 999 E6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Small Signal MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 30 A、漏源击穿电压（Vds） 20 V、最小工作温度 - 55 C，采用 SOT-23 封装。BF 998 E6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-143
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Small Signal MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 30 mA、漏源击穿电压（Vds） 12 V、最小工作温度 - 55 C，采用 SOT-143 封装。BF 2040 E6814
Infineon Technologies · 封装：SOT-143
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Small Signal MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 40 mA、漏源击穿电压（Vds） 8 V、增益 23 dB，采用 SOT-143 封装。BF999E6327HTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Small Signal MOSFET、型号别名 999 BF BF999E6327XT E6327 SP000010985、单件重量 0.000282 oz，采用 SOT-23-3 封装。BF998E6327HTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-143-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Small Signal MOSFET、型号别名 998 BF BF998E6327XT E6327 SP000010978、单件重量 0.000353 oz，采用 SOT-143-4 封装。D2002UK
Semelab / TT Electronics · 封装：DP
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 2 A、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 DP 封装。ARF463BP1G
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。VRF141
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。ARF463AP1G
Microchip / Microsemi · 封装：TO-247-3
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、工作频率 100 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 9 A，采用 TO-247-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。