Infineon Technologies
BF 2040 E6814
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Small Signal MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 40 mA、漏源击穿电压（Vds） 8 V、增益 23 dB，采用 SOT-143 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Infineon
- 品牌
- Infineon Technologies
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- BF2040
- 封装
- SOT-143
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
17 项参数- 晶体管极性
- N-Channel
- 技术
- Si
- 连续漏极电流（Id）
- 40 mA
- 漏源击穿电压（Vds）
- 8 V
- 增益
- 23 dB
- 输出功率
- 200 mW
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 配置
- Single Dual Gate
- 高度
- 1 mm
- 长度
- 2.9 mm
- 类型
- RF Small Signal MOSFET
- 宽度
- 1.3 mm
展开更多参数（5 项）
- 正向跨导（最小值）
- 37 mS
- 通道模式
- Depletion
- 耗散功率（Pd）
- 200 mW
- 栅源电压（Vgs）
- 7 V
- 型号别名
- BF2040E6814HTSA1 BF24E6814XT SP000012215
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。