IXYS
IXZR18N50A-00
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 19 A、漏源击穿电压（Vds） 500 V，采用 TO-247-3 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- IXYS
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- IXZR18
- 封装
- TO-247-3
- 安装方式
- 通孔安装
- 包装方式
- 管装
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
13 项参数- 晶体管极性
- N-Channel
- 技术
- Si
- 连续漏极电流（Id）
- 19 A
- 漏源击穿电压（Vds）
- 500 V
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 370 mOhms
- 输出功率
- 350 W
- 工作温度范围
- -55～175 °C
- 类型
- RF Power MOSFET
- 正向跨导（最小值）
- 6.7 S
- 通道数
- 1 个通道
- 栅极电荷（Qg）
- 42 nC
- 栅源电压（Vgs）
- 20 V
展开更多参数（1 项）
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 4.6 V
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。