IXYS
150-102N02A-00
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 30 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 2 A，采用 SMD-6 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- IXYS
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- 德国
- 封装
- SMD-6
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 管装
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
14 项参数- 晶体管极性
- N-Channel
- 技术
- Si
- 连续漏极电流（Id）
- 2 A
- 漏源击穿电压（Vds）
- 1000 V
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 7.8 Ω
- 输出功率
- 200 W
- 工作温度范围
- -55～175 °C
- 工作频率
- 30 MHz
- 类型
- RF Power MOSFET
- 正向跨导（最小值）
- 0.8 S
- 通道数
- 1 个通道
- 栅极电荷（Qg）
- 23 nC
展开更多参数（2 项）
- 栅源电压（Vgs）
- 20 V
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 2.5 V
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。