VRF151G
Microchip / Microsemi · 封装：SOE-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET，采用 SOE-4 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录VRF151MP
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。ARF461AG
Microchip / Microsemi · 封装：TO-247-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、单件重量 1.340411 oz，采用 TO-247-3 封装。LET9045F
STMicroelectronics · 封装：M250
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 9 A、漏源击穿电压（Vds） 80 V，采用 M250 封装。UF28150J
MACOM · 封装：375-04
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 100～500 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 16 A、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 375-04 封装。UF28100M
MACOM
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。ARF466BG
Microchip / Microsemi · 封装：TO-247-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 45 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 13 A，采用 TO-247-3 封装。VRF150MP
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。PD55003-E
STMicroelectronics · 封装：PowerSO-10RF-Formed-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 2.5 A、漏源击穿电压（Vds） 40 V，采用 PowerSO-10RF-Formed-4 封装。RFM01U7P(TE12L,F)
Toshiba · 封装：PW-Mini-3
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 520 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 1 A、漏源击穿电压（Vds） 20 V，采用 PW-Mini-3 封装。ARF460AG
Microchip / Microsemi · 封装：TO-247-3
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、工作频率 65 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 14 A，采用 TO-247-3 封装。MRF1517NT1
NXP / Freescale · 封装：PLD-1.5
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 520 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 4 A、漏源击穿电压（Vds） 25 V，采用 PLD-1.5 封装。ARF1501
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 175 C、工作频率 40 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 30 A。MRFE6VP5600HR5
NXP / Freescale · 封装：NI-1230
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1.8～600 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 130 V、增益 25 dB，采用 NI-1230 封装。ARF460BG
Microchip / Microsemi · 封装：TO-247-3
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、工作频率 65 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 14 A，采用 TO-247-3 封装。MRF426
Advanced Semiconductor, Inc.
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。DRF1200
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、漏源导通电阻（Rds On） 900 mOhms、配置 Inverting, Non-Inverting、高度 0.3 mm、长度 1.5 mm。3SK293(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SOT-343-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 800 MHz、技术 Si、类型 RF Small Signal MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 30 mA、漏源击穿电压（Vds） 12.5 V，采用 SOT-343-4 封装。VRF151
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、工作频率 175 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 16 A。VRF150
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、工作频率 150 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 16 A。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。