Microchip / Microsemi
DRF1200
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、漏源导通电阻（Rds On） 900 mOhms、配置 Inverting, Non-Inverting、高度 0.3 mm、长度 1.5 mm。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Microchip
- 品牌
- Microchip / Microsemi
- 产品类别
- 晶体管
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
10 项参数- 技术
- Si
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 900 mOhms
- 配置
- Inverting, Non-Inverting
- 高度
- 0.3 mm
- 长度
- 1.5 mm
- 类型
- RF Power MOSFET
- 宽度
- 1 mm
- 下降时间
- 2.5 ns
- 耗散功率（Pd）
- 624 W
- 上升时间
- 2.5 ns
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。