Toshiba
3SK293(TE85L,F)
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 800 MHz、技术 Si、类型 RF Small Signal MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 30 mA、漏源击穿电压（Vds） 12.5 V，采用 SOT-343-4 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Toshiba
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- 3SK293
- 封装
- SOT-343-4
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
9 项参数- 晶体管极性
- N-Channel
- 技术
- Si
- 连续漏极电流（Id）
- 30 mA
- 漏源击穿电压（Vds）
- 12.5 V
- 增益
- 22.5 dB
- 配置
- Dual
- 工作频率
- 800 MHz
- 类型
- RF Small Signal MOSFET
- 耗散功率（Pd）
- 100 mW
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。