Microchip / Microsemi
VRF150
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、工作频率 150 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 16 A。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Microchip
- 品牌
- Microchip / Microsemi
- 产品类别
- 晶体管
- 包装方式
- Box
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
14 项参数- 晶体管极性
- N-Channel
- 技术
- Si
- 连续漏极电流（Id）
- 16 A
- 漏源击穿电压（Vds）
- 180 V
- 增益
- 18 dB
- 输出功率
- 150 W
- 工作温度范围
- -65～150 °C
- 工作频率
- 150 MHz
- 工作温度范围
- - 65 C to + 150 C
- 类型
- RF Power MOSFET
- 正向跨导（最小值）
- 4.5 mS
- 耗散功率（Pd）
- 300 W
展开更多参数（2 项）
- 栅源电压（Vgs）
- 40 V
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 3.6 V
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。