MRF101BN
NXP Semiconductors · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 1.8～250 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 8.8 A，采用 TO-220-3 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录MRF101AN
NXP Semiconductors · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 1.8～250 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 8.8 A，采用 TO-220-3 封装。3SK291(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SOT-24-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 800 MHz、技术 Si、类型 RF Small Signal MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 30 mA、漏源击穿电压（Vds） 12.5 V，采用 SOT-24-4 封装。MRFE6VP5150GNR1
NXP / Freescale
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、湿敏性 是、型号别名 935320449528、单件重量 0.057666 oz。DU2820S
MACOM
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。DU1215S
MACOM
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。ARF463BG
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。MRF9045LR1
Advanced Semiconductor, Inc. · 封装：NI-360
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 945 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 4.25 A、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 NI-360 封装。PD54003-E
STMicroelectronics · 封装：PowerSO-10RF-Formed-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 4 A、漏源击穿电压（Vds） 25 V，采用 PowerSO-10RF-Formed-4 封装。MRF175LU
MACOM · 封装：333-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 400 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 13 A、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 333-4 封装。2SK3475TE12LF
Toshiba · 封装：PW-Mini-3
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 520 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 1 A、漏源击穿电压（Vds） 20 V，采用 PW-Mini-3 封装。ARF447G
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。3SK294(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SOT-343-4
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 500 MHz、技术 Si、类型 RF Small Signal MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 30 mA、漏源击穿电压（Vds） 12.5 V，采用 SOT-343-4 封装。ARF466AG
Microchip / Microsemi · 封装：TO-247-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、单件重量 1.340411 oz，采用 TO-247-3 封装。ARF475FL
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 175 C、工作频率 150 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 10 A。ARF463AG
Microchip / Microsemi · 封装：TO-247-3
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、工作频率 100 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 9 A，采用 TO-247-3 封装。ARF465BG
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。2SK3756(TE12L,F)
Toshiba · 封装：PW-Mini-3
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 470 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 1 A、漏源击穿电压（Vds） 7.5 V，采用 PW-Mini-3 封装。VRF152
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、工作频率 175 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 20 A。ARF446G
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。