Toshiba
2SK3475TE12LF
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 520 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 1 A、漏源击穿电压（Vds） 20 V，采用 PW-Mini-3 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Toshiba
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- 2SK3475
- 封装
- PW-Mini-3
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
12 项参数- 晶体管极性
- N-Channel
- 技术
- Si
- 连续漏极电流（Id）
- 1 A
- 漏源击穿电压（Vds）
- 20 V
- 增益
- 14.9 dB
- 输出功率
- 630 mW
- 配置
- Single
- 工作频率
- 520 MHz
- 类型
- RF Power MOSFET
- 耗散功率（Pd）
- 3 W
- 栅源电压（Vgs）
- 10 V
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 2.4 V
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。