NXP Semiconductors
MRF101BN
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 1.8～250 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 8.8 A，采用 TO-220-3 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- NXP
- 品牌
- NXP Semiconductors
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- MRF101
- 封装
- TO-220-3
- 安装方式
- 通孔安装
- 包装方式
- 管装
技术参数
15 项参数- 晶体管极性
- N-Channel
- 技术
- Si
- 连续漏极电流（Id）
- 8.8 A
- 漏源击穿电压（Vds）
- 133 V
- 增益
- 21.1 dB
- 输出功率
- 100 W
- 工作温度范围
- -40～150 °C
- 工作频率
- 1.8～250 MHz
- 类型
- RF Power MOSFET
- 正向跨导（最小值）
- 7.1 S
- 通道数
- 1 个通道
- 耗散功率（Pd）
- 182 W
展开更多参数（3 项）
- 栅源电压（Vgs）
- - 6 V, + 10 V
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 1.7 V
- 型号别名
- 935377234129
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。