Advanced Semiconductor, Inc.
MRF9045LR1
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 945 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 4.25 A、漏源击穿电压（Vds） 65 V，采用 NI-360 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Advanced Semiconductor, Inc.
- 产品类别
- 晶体管
- 封装
- NI-360
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 托盘
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
14 项参数- 晶体管极性
- N-Channel
- 技术
- Si
- 连续漏极电流（Id）
- 4.25 A
- 漏源击穿电压（Vds）
- 65 V
- 增益
- 18.8 dB
- 输出功率
- 60 W
- 配置
- Single
- 工作频率
- 945 MHz
- 类型
- RF Power MOSFET
- 正向跨导（最小值）
- 3 S
- 耗散功率（Pd）
- 117 W
- 栅源电压（Vgs）
- 15 V
展开更多参数（2 项）
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 4.8 V
- 单件重量
- 0.032480 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。