QPD2160D
Qorvo
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括晶体管类型 pHEMT、原产国家或地区 美国。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录QPD2120D
Qorvo
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括晶体管类型 pHEMT、原产国家或地区 美国。QPD2080D
Qorvo
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括晶体管类型 pHEMT、原产国家或地区 美国。QPD2060D
Qorvo
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括晶体管类型 pHEMT、原产国家或地区 美国。QPD2040D
Qorvo · 封装：0.41 mm x 0.34 mm
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括技术 GaAs、晶体管类型 pHEMT、增益 13 dB、原产国家或地区 美国、噪声系数（NF） 1.1 dB，采用 0.41 mm x 0.34 mm 封装。QPD2025D
Qorvo
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括晶体管类型 pHEMT、原产国家或地区 美国。QPD2018D
Qorvo · 封装：0.41 mm x 0.34 mm
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括技术 GaAs、晶体管类型 pHEMT、增益 14 dB、原产国家或地区 美国、噪声系数（NF） 1 dB，采用 0.41 mm x 0.34 mm 封装。CGHV1J070D-GP5
MACOM
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括原产国家或地区 美国。GTRB267008FC-V1-R0
MACOM
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括原产国家或地区 美国、湿敏性 是。GTRB267008FC-V1-R2
MACOM
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括原产国家或地区 美国、湿敏性 是。NPT2010
MACOM
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 HEMT、原产国家或地区 美国、湿敏性 是。A3G20S250-01SR3
NXP Semiconductors · 封装：NI-400S-2
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 1800～2200 MHz、技术 GaN Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 250 mA，采用 NI-400S-2 封装。MMRF5017HSR5
NXP Semiconductors · 封装：NI-400S-2
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 30～2200 MHz、技术 GaN SiC、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 200 mA，采用 NI-400S-2 封装。MRFX1K80GNR5
NXP Semiconductors · 封装：OM-1230G-4L
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1.8～400 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、连续漏极电流（Id） 43 A，采用 OM-1230G-4L 封装。MRF13750H-915MHZ
NXP Semiconductors · 封装：NI-1230H-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 700～1300 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、连续漏极电流（Id） 2.8 A，采用 NI-1230H-4 封装。MRF13750H-1300
NXP Semiconductors · 封装：NI-1230H-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 700～1300 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、连续漏极电流（Id） 2.8 A，采用 NI-1230H-4 封装。AFV10700HSR5
NXP Semiconductors · 封装：NI-780S-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1030～1090 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、连续漏极电流（Id） 2.6 A，采用 NI-780S-4 封装。MRF1K50NR5
NXP / Freescale · 封装：OM-1230-4L
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1.8～500 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 36 A，采用 OM-1230-4L 封装。MRF1K50GNR5
NXP / Freescale · 封装：OM-1230G-4L
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1.8～500 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 36 A，采用 OM-1230G-4L 封装。MRF1K50H-TF4
NXP / Freescale · 封装：NI-1230H-4S
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 1.8～500 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、连续漏极电流（Id） 36 A，采用 NI-1230H-4S 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。