NXP Semiconductors
A3G20S250-01SR3
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 1800～2200 MHz、技术 GaN Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 250 mA，采用 NI-400S-2 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- NXP
- 品牌
- NXP Semiconductors
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- A3G20S250
- 封装
- NI-400S-2
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
技术参数
12 项参数- 晶体管极性
- N-Channel
- 技术
- GaN Si
- 连续漏极电流（Id）
- 250 mA
- 漏源击穿电压（Vds）
- 150 V
- 增益
- 18.2 dB
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 工作频率
- 1800～2200 MHz
- 类型
- RF Power MOSFET
- 通道数
- 1 个通道
- 栅源电压（Vgs）
- - 8 V
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- - 2.3 V
- 型号别名
- 935377832118
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。