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Qorvo

QPD2040D

该型号为射频结型场效应晶体管,主要参数包括技术 GaAs、晶体管类型 pHEMT、增益 13 dB、原产国家或地区 美国、噪声系数(NF) 1.1 dB,采用 0.41 mm x 0.34 mm 封装。

基本资料

品牌 / 制造商
Qorvo
产品类别
射频结型场效应晶体管
产品系列
QPD2040D
封装
0.41 mm x 0.34 mm
包装方式
卷盘

技术参数

5 项参数
晶体管类型
pHEMT
技术
GaAs
增益
13 dB
原产国家或地区
美国
噪声系数(NF)
1.1 dB

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

QPD2040D 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技