Qorvo
QPD2018D
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括技术 GaAs、晶体管类型 pHEMT、增益 14 dB、原产国家或地区 美国、噪声系数（NF） 1 dB，采用 0.41 mm x 0.34 mm 封装。
基本资料
- 品牌 / 制造商
- Qorvo
- 产品类别
- 射频结型场效应晶体管
- 产品系列
- QPD2018D
- 封装
- 0.41 mm x 0.34 mm
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 卷盘
技术参数
5 项参数- 晶体管类型
- pHEMT
- 技术
- GaAs
- 增益
- 14 dB
- 原产国家或地区
- 美国
- 噪声系数（NF）
- 1 dB
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。