TGF2935
Qorvo
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 DC to 25 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、增益 16 dB、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 360 mA。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录TGF2941
Qorvo
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 DC to 25 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、增益 16 dB、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 290 mA。GTVA107001EC-V1-R250
Wolfspeed / Cree · 封装：H-36248-2
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 960 MHz to 1.215 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、增益 18 dB、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 150 V，采用 H-36248-2 封装。A3G26H501W17SR3
NXP Semiconductors · 封装：NI-780S-4S2S
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 2496～2690 MHz、技术 氮化镓（GaN）、增益 13.7 dB、漏源击穿电压（Vds） 150 V、连续漏极电流（Id） 42 mA、输出功率 56 W，采用 NI-780S-4S2S 封装。GTVA220701FA-V1-R2
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37265J-2
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 1805～2170 MHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、增益 22 dB、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 150 V，采用 H-37265J-2 封装。A2G26H280-04SR3
NXP / Freescale
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 935318614128。MAAM-009455-TR1000
MACOM · 封装：PQFN-20
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 85 C、工作频率 1 GHz、技术 GaAs、晶体管类型 MESFET、类型 GaAs MESFET、增益 20.5 dB，采用 PQFN-20 封装。CG2H80120D-GP4
Wolfspeed / Cree · 封装：Die
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 8 GHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 HEMT、晶体管极性 N-Channel、输出功率 120 W，采用 Die 封装。GTVA261701FA-V1-R0
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37265J-2
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 2620～2690 MHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、增益 17 dB、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 150 V，采用 H-37265J-2 封装。GTVA220701FA-V1-R0
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37265J-2
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 1805～2170 MHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、增益 22 dB、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 150 V，采用 H-37265J-2 封装。MAGX-000040-0050TP
MACOM · 封装：SOT-89-3
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 95 C、工作频率 4 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、类型 GaN SiC HEMT、增益 13.5 dB，采用 SOT-89-3 封装。QPD1823
Qorvo · 封装：NI400-2
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 1.8～2.4 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、增益 21 dB、晶体管极性 N-Channel、输出功率 220 W，采用 NI400-2 封装。T1G4012036-FS
Qorvo
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 3.3 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、类型 GaN SiC HEMT、增益 18.4 dB、晶体管极性 N-Channel。CGHV35060MP
Wolfspeed / Cree
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 107 C、工作频率 3.5 GHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 HEMT、增益 14.5 dB、晶体管极性 N-Channel。2N5952
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 JFET、类型 JFET、晶体管极性 N-Channel、栅源击穿电压（Vgs） 30 V、最大漏栅电压 30 V，采用 TO-92-3 封装。2N3819
Central Semiconductor · 封装：TO-92
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 JFET、类型 JFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 25 V、栅源击穿电压（Vgs） 25 V，采用 TO-92 封装。GTVA263202FC-V1-R2
Wolfspeed / Cree · 封装：H-37248-4
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 2620～2690 MHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、增益 17 dB、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 150 V，采用 H-37248-4 封装。QPD2793
Qorvo · 封装：NI400-2
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 2.62～2.69 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、增益 19 dB、晶体管极性 N-Channel、输出功率 200 W，采用 NI400-2 封装。QPD2195SR
Qorvo · 封装：NI780-2
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 1.8～2.2 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、增益 20.4 dB、晶体管极性 N-Channel、输出功率 400 W，采用 NI780-2 封装。QPD2194SR
Qorvo · 封装：NI400-2
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 1.8～2.2 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、增益 19.1 dB、晶体管极性 N-Channel、输出功率 371 W，采用 NI400-2 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。