Central Semiconductor
2N5952
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 JFET、类型 JFET、晶体管极性 N-Channel、栅源击穿电压（Vgs） 30 V、最大漏栅电压 30 V，采用 TO-92-3 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Central Semiconductor
- 产品类别
- 射频结型场效应晶体管
- 产品系列
- 2N5952
- 封装
- TO-92-3
- 安装方式
- 通孔安装
- 包装方式
- 散装
- RoHS
- 不符合（来源记录）
技术参数
14 项参数- 晶体管类型
- JFET
- 技术
- Si
- 晶体管极性
- N-Channel
- 栅源击穿电压（Vgs）
- 30 V
- 最大漏栅电压
- 30 V
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 配置
- Single
- 高度
- 5.33 mm
- 长度
- 5.21 mm
- 产品
- RF JFET
- 类型
- JFET
- 宽度
- 4.19 mm
展开更多参数（2 项）
- 型号别名
- 2N5952 BK
- 单件重量
- 0.016000 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。