NXP Semiconductors
A3G26H501W17SR3
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 2496～2690 MHz、技术 氮化镓（GaN）、增益 13.7 dB、漏源击穿电压（Vds） 150 V、连续漏极电流（Id） 42 mA、输出功率 56 W，采用 NI-780S-4S2S 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- NXP
- 品牌
- NXP Semiconductors
- 产品类别
- 射频结型场效应晶体管
- 封装
- NI-780S-4S2S
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 卷盘
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
11 项参数- 技术
- 氮化镓（GaN）
- 增益
- 13.7 dB
- 漏源击穿电压（Vds）
- 150 V
- 连续漏极电流（Id）
- 42 mA
- 输出功率
- 56 W
- 工作温度范围
- -55～225 °C
- 应用
- Cellular Base Station
- 工作频率
- 2496～2690 MHz
- 等级
- Class AB, Class C
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- - 3.5 V, - 3.8 V
- 型号别名
- 935387634128
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。