Qorvo
T1G4012036-FS
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 3.3 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、类型 GaN SiC HEMT、增益 18.4 dB、晶体管极性 N-Channel。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Qorvo
- 产品类别
- 射频结型场效应晶体管
- 产品系列
- T1G
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 托盘
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
13 项参数- 晶体管类型
- HEMT
- 技术
- GaN SiC
- 增益
- 18.4 dB
- 晶体管极性
- N-Channel
- 漏源击穿电压（Vds）
- 36 V
- 连续漏极电流（Id）
- 12 A
- 最大漏栅电压
- - 2.9 V
- 耗散功率（Pd）
- 117 W
- 工作频率
- 3.3 GHz
- 产品
- GaN RF Power Transistors
- 类型
- GaN SiC HEMT
- 湿敏性
- 是
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- 型号别名
- 1096026
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。