QPD1014SR
Qorvo · 封装：DFN-8
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 30～1200 MHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、增益 18.4 dB、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 50 V，采用 DFN-8 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录QPD2730
Qorvo · 封装：NI780-4
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 85 C、工作频率 2.575～2.635 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、增益 16 dB、晶体管极性 N-Channel，采用 NI780-4 封装。J211-D74Z
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TO-92-3
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 JFET、类型 JFET、晶体管极性 N-Channel、栅源击穿电压（Vgs） - 25 V、连续漏极电流（Id） 20 mA，采用 TO-92-3 封装。MMBFJ211
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOT-23
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、晶体管类型 JFET、类型 JFET、晶体管极性 N-Channel、栅源击穿电压（Vgs） - 25 V，采用 SOT-23 封装。MMBF4416
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOT-23
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、晶体管类型 JFET、类型 JFET、晶体管极性 N-Channel、栅源击穿电压（Vgs） - 30 V，采用 SOT-23 封装。MMBF5486
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOT-23
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、晶体管类型 JFET、类型 JFET、晶体管极性 N-Channel、栅源击穿电压（Vgs） - 25 V，采用 SOT-23 封装。CGH60030D-GP4
Wolfspeed / Cree · 封装：Die
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 4～6 GHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 HEMT、增益 15 dB、晶体管极性 N-Channel，采用 Die 封装。CE3514M4
CEL
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括技术 GaAs、晶体管类型 pHEMT、连续漏极电流（Id） 10 mA、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 125 C、耗散功率（Pd） 125 mW。CE3520K3
CEL
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括技术 GaAs、单件重量 0.000581 oz。CGHV1J025D-GP4
Wolfspeed / Cree · 封装：Die
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括通道数 4 个通道、工作频率 10 MHz to 18 GHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 HEMT、增益 17 dB、晶体管极性 N-Channel，采用 Die 封装。QPD1022SR
Qorvo · 封装：QFN-16
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 DC to 12 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、增益 24 dB、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 32 V，采用 QFN-16 封装。TGF2933
Qorvo
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 DC to 25 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、增益 15 dB、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 80 mA。TGF2819-FL
Qorvo
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 85 C、工作频率 3.5 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、类型 GaN SiC HEMT、增益 14 dB。QPD1011SR
Qorvo · 封装：SMD-8
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 30～1200 MHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、增益 21 dB、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 50 V，采用 SMD-8 封装。TGF2023-2-20
Qorvo · 封装：Die
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、类型 GaN SiC HEMT、晶体管极性 N-Channel、产品 RF JFET、型号别名 1099955，采用 Die 封装。TGF2934
Qorvo
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 DC to 25 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、增益 14 dB、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 1 A。QPD1016
Qorvo · 封装：NI780-2
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 DC to 1.7 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、增益 23.9 dB、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 145 V，采用 NI780-2 封装。T1G4020036-FS
Qorvo
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 3.5 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、类型 GaN SiC HEMT、增益 16 dB、晶体管极性 N-Channel。QPD0060
Qorvo · 封装：DFN-6
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 1.8～3.8 GHz、技术 氮化镓（GaN）、增益 16.2 dB、输出功率 90 W、最小工作温度 - 40 C、应用 Microcell Base Station, W-CDMA / LTE，采用 DFN-6 封装。NPTB00025B
MACOM
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括技术 GaN Si。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。