Qorvo
QPD1016
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作频率 DC to 1.7 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、增益 23.9 dB、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 145 V，采用 NI780-2 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Qorvo
- 产品类别
- 射频结型场效应晶体管
- 封装
- NI780-2
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
15 项参数- 晶体管类型
- HEMT
- 技术
- GaN SiC
- 增益
- 23.9 dB
- 晶体管极性
- N-Channel
- 漏源击穿电压（Vds）
- 145 V
- 栅源击穿电压（Vgs）
- - 7 V to 1.5 V
- 连续漏极电流（Id）
- 70 A
- 输出功率
- 680 W
- 最大漏栅电压
- 55 V
- 工作温度范围
- -40～85 °C
- 耗散功率（Pd）
- 714 W
- 配置
- Single
展开更多参数（3 项）
- 工作频率
- DC to 1.7 GHz
- 开发套件
- QPD1016EVB01
- 湿敏性
- 是
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。