Wolfspeed / Cree
CGHV1J025D-GP4
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括通道数 4 个通道、工作频率 10 MHz to 18 GHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 HEMT、增益 17 dB、晶体管极性 N-Channel，采用 Die 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Cree, Inc.
- 品牌
- Wolfspeed / Cree
- 产品类别
- 射频结型场效应晶体管
- 封装
- Die
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- Gel Pack
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
16 项参数- 晶体管类型
- HEMT
- 技术
- 氮化镓（GaN）
- 增益
- 17 dB
- 晶体管极性
- N-Channel
- 漏源击穿电压（Vds）
- 100 V
- 栅源击穿电压（Vgs）
- - 10 V to 2 V
- 连续漏极电流（Id）
- 2 A
- 输出功率
- 25 W
- 高度
- 100 um
- 长度
- 1.92 mm
- 工作频率
- 10 MHz to 18 GHz
- 产品
- 氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）
展开更多参数（4 项）
- 宽度
- 800 um
- 通道数
- 4 个通道
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 600 mOhms
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- - 3V
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。