Qorvo
TGF2819-FL
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 85 C、工作频率 3.5 GHz、技术 GaN SiC、晶体管类型 HEMT、类型 GaN SiC HEMT、增益 14 dB。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Qorvo
- 产品类别
- 射频结型场效应晶体管
- 安装方式
- Screw Mount
- 包装方式
- 托盘
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
18 项参数- 晶体管类型
- HEMT
- 技术
- GaN SiC
- 增益
- 14 dB
- 晶体管极性
- N-Channel
- 漏源击穿电压（Vds）
- 32 V
- 栅源击穿电压（Vgs）
- - 2.9 V
- 连续漏极电流（Id）
- 7.32 A
- 输出功率
- 100 W
- 最大漏栅电压
- 145 V
- 工作温度范围
- -40～85 °C
- 耗散功率（Pd）
- 86 W
- 配置
- Single
展开更多参数（6 项）
- 工作频率
- 3.5 GHz
- 工作温度范围
- - 40 C to + 85 C
- 类型
- GaN SiC HEMT
- 开发套件
- TGF2819-FS/FL, EVAL BOARD
- 湿敏性
- 是
- 型号别名
- 1118709 772-TGF2819-FS-EVB1
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。