BFP 720FESD H6327
Infineon Technologies · 封装：TSFP-4-1
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 43 GHz、技术 SiGe、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Silicon Germanium、最大集电极－发射极电压（VCEO） 4.2 V、连续集电极电流 30 mA，采用 TSFP-4-1 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录BF886H6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-343-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 886 BF BF886H6327XT H6327 SP000834798，采用 SOT-343-4 封装。BFU530WX
NXP Semiconductors · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 150 C、工作频率 2 GHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Wideband、类型 Wideband RF Transistor、晶体管极性 NPN，采用 SOT-323-3 封装。2N5643
Advanced Semiconductor, Inc. · 封装：MT72
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 175 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 5，采用 MT72 封装。BFU790F,115
NXP Semiconductors · 封装：SOT-343
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 110 GHz、技术 SiGe、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Silicon Germanium、最小直流电流增益（hfe） 235、最大集电极－发射极电压（VCEO） 2.8 V，采用 SOT-343 封装。MRF422
MACOM · 封装：211-11
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 30 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 15，采用 211-11 封装。STBV32-AP
STMicroelectronics · 封装：TO-92AP
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、发射极－基极电压（VEBO） 9 V，采用 TO-92AP 封装。MDS800
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。1214-30
Microchip / Microsemi · 封装：55AW-1
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1.2～1.4 GHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 20、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 55AW-1 封装。MRF652S
Advanced Semiconductor, Inc. · 封装：249-06
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 512 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 10，采用 249-06 封装。PH2226-110M
MACOM
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power。PH2729-130M
MACOM
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power。PH3135-90S
MACOM
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。PH2729-110M
MACOM · 封装：Ceramic-2
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 2.7～2.9 GHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar、晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 63 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V，采用 Ceramic-2 封装。2SC5086-Y,LF
Toshiba · 封装：SC-75-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V、最小工作温度 - 55 C，采用 SC-75-3 封装。SD1274-01
Advanced Semiconductor, Inc. · 封装：SOT-123
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 175 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 20，采用 SOT-123 封装。MRF559LF
Advanced Semiconductor, Inc. · 封装：M238
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 870 MHz、技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 30，采用 M238 封装。BFP 193W H6327
Infineon Technologies
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、型号别名 BFP193WH6327XT BFP193WH6327XTSA1 SP000745248。BFP 405F H6327
Infineon Technologies · 封装：TSFP-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Bipolar Small Signal、晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 4.5 V、发射极－基极电压（VEBO） 1.5 V，采用 TSFP-4 封装。BFP 720F H6327
Infineon Technologies · 封装：TSFP-4-1
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 45 GHz、技术 SiGe、晶体管类型 Bipolar、类型 RF Silicon Germanium、最大集电极－发射极电压（VCEO） 4 V、发射极－基极电压（VEBO） 1.2 V，采用 TSFP-4-1 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。